在电力半导体领域，碳化硅MOSFET被广泛用于高压和高频场景，例如低功率，智能网络和铁路运输。但是，如何优化阻力（RON）在保证断层电压（BV）的同时，该行业需要解决的问题是一个困难的问题。最近，福丹大学研究团队在这一领域取得了重要进步。基于负载平衡理论，1.7kV 4H-SIC SICMMOSFET设备通过两种设计，正交结构和平行结构，已成功设计和准备了SICMOSFET设备，取决于负载平衡的理论，通过对离子植入过程的深入优化。实验数据表明，罗恩分别降低了19.61％和38.06％，同时保持了约2.0kV的故障电压。该结果显着优化了漂移区的电阻，并且不会对DEV的转移特性产生负面影响冰。资料来源：捕获纸屏纸屏幕的均衡技术是解决高压电源设备的性能优化的有效工具，但是传统的超级联盟结构在基于硅碳化物的设备制造中面临许多挑战。由于碳化硅材料的高度硬度以及通过实施离子修复损坏的难度，传统过程非常复杂且昂贵，这严重限制了高压SIC电源设备的工业化过程。 Fudan团队通过Preciseto成功地建立了独特的负载分配。资料来源：纸屏幕捕获：照片是设备结构的示意图，也是注射结果的模拟结果。 TCAD仿真分析表明，新设备可以有效抑制降低阻塞状态下泄漏障碍并显着提高可靠性的效果。此外，这些设备表现出更好的频率NCY响应特征在高频工作方案中，大大减少了切换损失并彻底改善了开关性能。